一：工艺信息
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1、工艺名称 |
WP32 |
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2、工艺类型 |
Bipolar |
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3、工作电压 |
24V |
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4、特征尺寸 |
1.5um |
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5、金属布线 |
双层 |
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6、总光刻/最少光刻层数 |
18/13 |
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7、主要工艺特征 |
NPN、LPNP、SPNP、齐纳二极管、肖特基二极管，EB二极管，高值注入电阻、低温度系数的POLY电阻、以及SIN电容等器件 |
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8、应用方向 |
电源、放大器、驱动器、基准 |
二：器件参数
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器件名称 |
器件类型 |
主要电参数 |
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npn36 |
npn |
beta=70-200Bvceo≥32Vft≥1GHZ |
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gnpn_big |
npn with DC |
beta=70-150Bvceo≥32Vft≥1GHZ |
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lpnp36 |
LPNP |
beta=100-600Bvceo≥32Vft≥50MHZ |
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spnp36 |
衬底PNP |
beta≥150-550Bvceo≥5Vft≥50MHZ |
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EB |
EB二极管 |
V=5.5-6.3V |
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ZN |
齐纳二极管 |
V=6.8-7.6V |
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sch_g |
肖特基二极管 |
BV>32V |
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rpb |
基区电阻 |
Rs=580--660 |
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rpc |
高硼电阻 |
Rs=170--230 |
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Rir |
注入电阻 |
Rs=1700--2300 |
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Rep |
POLY电阻 |
Rs=950--1250 |
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nitcap |
SIN电容 |
C=33--46pF |
工艺平台简介_WP32
