一：工艺信息
|
1、工艺名称 |
WX40 |
|
2、工艺类型 |
Bipolar |
|
3、工作电压 |
40V |
|
4、特征尺寸 |
4um |
|
5、金属布线 |
双层 |
|
6、总光刻/最少光刻层数 |
23/10 |
|
7、主要工艺特征 |
NPN、LPNP、SPNP、PJFET、VPNP、二极管、高值注入电阻、低温度系数的POLY电阻、以及SIN电容等器件 |
|
8、应用方向 |
电源、放大器、驱动器、基准 |
二：器件参数
|
器件名称 |
器件类型 |
主要电参数 |
|
Ndc111y9 |
npn |
beta=80-250 Bvceo≥45V ft=400MHZ |
|
lpy8 |
低硼LPNP |
beta=25-100 Bvceo≥45V ft=5MHZ |
|
lppey8 |
高硼LPNP |
beta≥50 Bvceo≥45V ft=5MHZ |
|
spg111y14 |
衬底PNP |
beta≥60 Bvceo≥45V ft≥5MHZ |
|
pj100x10 |
PJFET |
Idss=20-200uA Vt=0.8-1.4V BVdss≥45V |
|
deb9x9 |
EB二极管 |
V=6.5-7.5V |
|
dzpc19x20 |
齐纳二极管 |
V=5.5-6.2V |
|
rpb |
基区电阻 |
Rs=200--240 |
|
rpc |
高硼电阻 |
Rs=40--60 |
|
Rir |
注入电阻 |
Rs=1800--2200 |
|
Rep |
POLY电阻 |
Rs=950--1250 |
|
rcs |
铬硅电阻 |
Rs=850-1150 |
工艺平台简介_WX40
