一：工艺信息
|
1、工艺名称 |
WB40 |
|
2、工艺类型 |
Bipolar |
|
3、工作电压 |
36V |
|
4、特征尺寸 |
2um |
|
5、金属布线 |
双层 |
|
6、总光刻/最少光刻层数 |
16/9 |
|
7、主要工艺特征 |
NPN、LPNP、SPNP、VPNP、二极管、高值注入电阻、以及SIN电容等器件 |
|
8、应用方向 |
电源、放大器、驱动器、基准 |
二：器件参数
|
器件名称 |
器件类型 |
主要电参数 |
|
Ndc111y8 |
npn |
beta=70-200Bvceo≥40Vft=400MHZ |
|
Lpc10 |
低硼LPNP |
beta≥40Bvceo≥40Vft=5MHZ |
|
lppcc10 |
高硼LPNP |
beta≥150Bvceo≥40Vft=5MHZ |
|
spy30 |
衬底PNP |
beta≥50Bvceo≥40Vft≥5MHZ |
|
Deb40x50 |
EB二极管 |
V=6.0-7.0V |
|
Rpb10x100 |
基区电阻 |
Rs=200--240 |
|
Rpc10x100 |
高硼电阻 |
Rs=40--60 |
|
Rir10x100 |
注入电阻 |
Rs=1800--2200 |
工艺平台简介_WB40
