一：工艺信息
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1、工艺名称 |
WB70 |
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2、工艺类型 |
Bipolar |
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3、工作电压 |
60V |
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4、特征尺寸 |
2um |
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5、金属布线 |
双层 |
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6、总光刻/最少光刻层数 |
14/9 |
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7、主要工艺特征 |
NPN、LPNP、SPNP、二极管、高值注入电阻、以及SIN电容等器件 |
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8、应用方向 |
电源、放大器、驱动器、基准 |
二：器件参数
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器件名称 |
器件类型 |
主要电参数 |
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hvndc111y8 |
npn |
beta=60-250Bvceo≥70Vft=400MHZ |
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hvlpgpbc10 |
低硼LPNP |
beta≥50Bvceo≥70Vft=5MHZ |
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hvspgpb111y8 |
衬底PNP |
beta≥20Bvceo≥70Vft≥5MHZ |
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deb9x9 |
EB二极管 |
V=6.5-7.5V |
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dzpc8x8 |
齐纳二极管 |
V=5.7-6.3V |
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rpb |
基区电阻 |
Rs=145--175 |
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rpc |
高硼电阻 |
Rs=30--50 |
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Rir |
注入电阻 |
Rs=1800--2200 |
工艺平台简介_WB70
